SK海力士于2021年首次推出了12层HBM3内存

，根据外媒 VideoCardz 消息，ISSCC 2022即将举办，SK 海力士将展现更快的 12 层堆叠的 HBM3 高速内存此外，三星将发布速度更快的 GDDR6 芯片

SK 海力士于 2021 年首次推出了 12 层 HBM3 内存，速度达到了 820 GB/s，而这款芯片的性能如今可以达到 896 GB/s。

SK 海力士这款 HBM3 内存芯片采用 TSV 硅通孔工艺制造，单颗最大容量可达 24GB目前这类产品在服务器 CPU 中有应用，与处理器核心紧密封装在一起，实现高速率海力士还表示，这款芯片使用了自动校准和机器学习优化技术目前，还不知道该产品是否会很快量产

本站了解到，文件中三星电子也表示，将展示 16Gb 27Gb/s GDDR6 显存芯片，该产品将采用T—coil 电路结构，实现更高的速度此前的 GDDR6 显存最高带宽为 24Gb/s，这款新品速度超过了第一代，有望使显卡获得更好的性能表现

ISSCC 2022 大会将于 2 月 24 日举办，届时 SK 海力士的高管将介绍更详细的内容。据IT之家介绍，新思科技是全球电子设计自动化解决方案第一提供商，也是全球芯片接口ip第一提供商，主要提供芯片设计软件和解决方案。此次发布的HBM3解决方案，包括验证IP，针对ZeBu仿真的HBM3模型以及HAPS原型设计方案，可以加速相关产品的设计开发进程。。